Numărul de produs al producătorului:
TSM60N1R4CH C5G
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM60N1R4CH C5G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
12898281
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
ftH2
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM60N1R4CH C5G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
370 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
TSM60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM60N1R4CHC5G
TSM60N1R4CH C5G-DG
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STU5N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
831
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU5N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM024NA04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
BUK7Y19-100EX
MOSFET N-CH 100V LFPAK56-SO8
TSM15N50CI C0G
MOSFET N-CH 500V 14A ITO220AB
